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IXTK600N04T2
IXTX600N04T2
200
180
160
Fig. 7. Input Admittance
240
200
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
140
120
100
T J = 150oC
25oC
- 40oC
160
120
25oC
150oC
80
60
40
20
0
80
40
0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
9
8
V DS = 20V
I D = 300A
I G = 10mA
250
200
150
7
6
5
4
100
T J = 150oC
3
50
0
T J = 25oC
2
1
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
100
200
300
400
500
600
100.0
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
10,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
10.0
Ciss
Coss
1,000
100
R DS(on) Limit
External Lead Limit
25μs
100μs
1ms
1.0
Crss
10
T J = 175oC
DC
10ms
100ms
0.1
f = 1 MHz
1
T C = 25oC
Single Pulse
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
1
10
100
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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